オプトランス社の歴史 Optrans History
1987年4月 東京都渋谷千駄ヶ谷に本社設立、オキシメーター（血液中へモグラビン濃度測定装置）用発光ダイオードの生産開始、酸素濃度計(計測器)のための発光ダイオードの生産を始める
1987年11月 本社及び工場を川崎市多摩区枡形に移転し、発光ダイオードの本格生産開始
1989年4月 製品が米国国防省基準の認可を得る。
1989年9月 Point Source LED（点発光ダイオード）を実用化
1989年6月 資本金7,600万円に増資本。
米国F.D. Campito氏と技術提携、米国市場への本格アプローチ開始
1992年9月 自動生産機械導入、レーザー用大面積高速受光素子の開発に成功。
1996年4月 米国ニューヨーク州立大学アドバンスド シィン フィルム テクノロジー（The Center for Advanced Technology in Nanomaterials and Nanoelectronics (CATN2)）と技術提携
1994年 米国拠点として、オプトランスアメリカ社をニューヨーク州レイサムに設立。
2003年7月 本社及び工場を川崎市多摩川区登戸に移転。
2008年4月 NTT アドバンステクノロジー社よりGaAs系エピタキシャル結晶成長技術を導入。
2009年7月 エピタキシャル結晶の販売開始。
2011年4月 JX日鉱日石金属株式会社が化合半導体事業のうち、InP（リン化インジウム）を株式会社オプトランスに譲渡、InP化合物半導体事業に関する業務提携開始。